大部分半導(dǎo)體材料對紫外波段的光線都有很好的吸收，以單晶硅在不同波段的吸收為例，當(dāng)采用紫外波段的激光加工半導(dǎo)體材料時，由于紫外光聚焦光斑細，光子能量相對較高，可將材料化學(xué)鍵打斷。生成物所占據(jù)的空間體積迅速膨脹，最終以體爆炸形式迸射分離母體并帶走過剩的能量，熱區(qū)影響小。在此加工過程，由于沒有熱量產(chǎn)生，所以紫外激光的加工過程，又稱之為“冷加工”，切割完成后通過相應(yīng)的裂片工藝使每個芯片分開。

       由于這種特別波長和頻率的激光作用到待加工材料上的能量只有幾瓦甚至是毫瓦級，在外貌和內(nèi)部都沒有熔融質(zhì)料，正面和背面用眼睛也幾乎看不到刀痕和崩邊，這為芯片生產(chǎn)商縮小切割道寬度，增加單位面積芯片數(shù)量以降低成本提供了較大的空間。由于短波長的紫外激光幾乎沒有熱損傷，所以質(zhì)料不需要冷卻，整個切割過程都是在完全干燥的環(huán)境中進行。而熔融的質(zhì)料也被汽化，所以質(zhì)料外貌完全沒有沾污，這也很好地解決了半導(dǎo)體晶圓片怕沾污的問題。

       紫外激光在半導(dǎo)體芯片加工領(lǐng)域的應(yīng)用主要包括：芯片切割、晶元鉆微孔、晶元打標、激光調(diào)整薄膜電阻、激光測量、激光刻蝕、深紫外光投影光刻等方面，而在這些應(yīng)用中，為了適應(yīng)不斷發(fā)展的大規(guī)?；a(chǎn)，從產(chǎn)量和成本角度來看，傳統(tǒng)的管芯分離技術(shù)也不再實用，紫外激光切割技術(shù)將成為具有巨大潛力的應(yīng)用，他將成了這類應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。

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